Китайские ученые представили новую флеш-память, сообщает Синьхуа.
Прототип разработали исследователи из Фуданьского университета, используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации тестирования. Руководитель проекта Чжоу Пэн отметил: «Мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения».
Новая разработка носит название PoX и базируется на графеновом канале с двумерной структурой Дирака. Это устройство превосходит традиционные типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, по скорости записи данных. В отличие от них, PoX сохраняет информацию без необходимости постоянного питания, что делает его энергоэффективным.
По данным агентства, технология PoX может стать основой для будущих систем хранения данных, особенно в устройствах искусственного интеллекта, которые требуют быстрой и энергонезависимой памяти.
На этой неделе в Китае внезапно скончались несколько специалистов в области искусственного интеллекта, что вызывает обеспокоенность из-за возможного давления на индустрию.
Ранее Китай объявил о масштабной государственной инициативе по развитию искусственного интеллекта, выделив на эти цели 1 трлн юаней (около 138 млрд долларов).